Voltaj bağımlı kalsiyum kanal α-1G altünite ekspresyonunun genetik absans epilepisili sıçanlarda değerlendirilmesi

Abstract

Amaç: T tipi voltaj bağımlı kalsiyum kanalları absans epilepsy etyopatogenezinde önemli rol oynamaktadır. Talamokortikal döngü genetik absans epilepsili sıçanlarda (GAERS) diken-dalga deşarjlarının ortaya çıkmasında önemli bölgedir. Gereç ve Yöntemler: Bu çalışmada beyin kesitlerinde hipokampus (CA1, CA3, dentate gyrus), lateral and medial thalamik bölgeler, globus pallidus ve striatumda kalsiyum kanal a-1G alt ünitesinin ekspresyonu immunohistokimyasal olarak incelenmiştir. Kontrol wistar sıçanlar (n05) ve GAERS sıçanlardan (n=4) anetezi ve perfüzyon sonrasında çıkarılan beyinlerden 40 mm kalınlığında kesitler alınmıştır. Bu beyin kesitleri kalsiyum kanal a-1G alt ünitesine karşı primer antikor ile inkübe edildikten sonra sekonder antikora maruz bırakılmıştır. Daha sonra peroksidaz aktivitesi % 0,03 3-3 diaminobenzidin (DAB) ile görünür hale getirilmiştir. Semikantitatif skorlama sonrasında sonuçların istatistiksel analizi unpaired t testi ile yapılmıştır.